Открытие стоячих экситонов большого радиуса и классификация мерцающих кристаллов. Часть 2. Применение кумулятивной квантовой механики для описания свойств кристаллических сверхрешёток из стоячих экситонов

Аннотация

На базе кумулятивной квантовой механики (ККМ), разработанной автором, впервые предложен совершенно новый способ определения по спектрам комбинационного рассеивания (КРС) профилей относительной диэлектрической проницаемости ε(r) в волновых ε-структурах Высикайло с шагом Δr ≈ 0,0529ε(r)(n-1/4)/Z [нм]. Z – заряд, локализованный в наноструктуре, n – главное квантовое число формирующейся на структуре квантовой точки (КТ). ККМ в легированных кристаллах описывает: 1) расщепление Высикайло уровня с главным квантовым числом n на два (с энергией расщепления ΔE_n-½,n ~ n-¼ в случае потенциального барьера и с ΔE_n‑½,n = 13,56(((ε_n-1/2(r)(n-1/2))^-2-(ε_n(r)n)^-2) эВ в случае потенциальной ямы с профилированным ε(r) и 2) все известные в литературе спектры комбинационного рассеивания полых водородоподобных КТ – стоячих экситонов Высикайло, формирующих мерцающие или возбуждённые микро- или нанокристаллы в любых опорных кристаллах, допированных примесями, замещающими атомы в кристаллической решётке.

кумулятивная квантовая механика; стабильные и метастабильные квантовые точки; квантовые линии; модель Гамова α–распада атомного ядра; поляризационные квантово-размерные эффекты; возбуждённые кристаллы в опорных кристаллах; бикристалл; связанные (стоячие) экситоны Высикайло

1. Высикайло Ф.И. Аналитические исследования ионизационно-дрейфовых волн (3D страт) в наносекундных разрядах // Инженерная физика. 2012. № 7. С. 27–44.
2. Высикайло Ф.И. Поляризация аллотропных полых форм углерода и её применение в конструировании нанокомпозитов // Нанотехника. 2011. Т. 1. № 25. С. 19–36.
3. Высикайло Ф.И. Самоорганизующиеся кумулятивно-диссипативные наноструктуры в легированных кристаллах. Парадоксы в квантовой механике и их решение на базе кумулятивной квантовой механики // Инженерная физика. 2013. № 3. С. 15–48.
4. Гуртов В.А., Осауленко Р.Н. Физика твердого тела для инженеров: Учеб. пособие. М.: Техносфера, 2007. 300 с. [Электронный ресурс] // Кафедра физики твёрдого тела Петрозаводского государственного университета Режим доступа: http://dssp.petrsu.ru/p/tutorial/ftt/giv.htm.
5. Дирак П.А.М. Принципы квантовой механики. М.: Наука. ФИЗМАТЛИТ. 1979. 480 с.
6. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика: Учеб. пособие. Т. 3: Квантовая механика. Нерелятивистская теория. М.: ФИЗМАТЛИТ, 1974. 752 с.
7. Лифшиц Е.М., Питаевский Л.П. Теоретическая физика: Учеб. пособ.: Для вузов. Т. 9: Статистическая физика. Ч. 2: Теория конденсированного состояния. 4-е изд. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004. 496 с.
8. Нанонаука и нанотехнологии. Энциклопедия систем жизнеобеспечения / Гл. ред. О.О. Аваделькарим, Ч. Бай, С.П. Капица. М.: ЮНЕСКО, Издат. дом МАГИСТР-ПРЕСС, 2009.
9. Туктаров Р.Ф., Ахметьянов Р.Ф., Шиховцева Е.С., Лебедев Ю.А., Мазунов В.А. Плазменные колебания в молекулах фуллеренов при электронном захвате // Письма ЖЭТФ. 2005. Т. 81. № 4. С. 207–211.
10. Cherenko R.M. "Boron, the Dominant Acceptor in Semiconducting Diamond." Phys. Rev. B. 7 (1973): 4560–4567.
11. Collins A.T., Lightowlers E.C., Dean P.J. "Role of Phonons in the Oscillatory Photoconductivity Spectrum of Semiconducting Diamond." Phys. Review 183.3 (1969): 725–730.
12. Collins A.T., Williams A.W.S. "The Nature of the Acceptor Centre in Semiconducting Diamond."  J. Phys. C: Solid State Phys. 4 (1971): 1789–1800.
13. Denisov V.N., Mavrin B.N., Polyakov S.N., Kuznetsov M.S., Terentiev S.A., Blank V.D. "First Observation of Electronic Structure of the Even Parity Boron Acceptor States in Diamond." Physics Letters A 376 (2012): 2812–2815.
14. Huang J., Carman H.S. Compton R.N. "Low-Energy Electron Attachment to C₆₀."  J. Phys. Chem. 99 (1995): 1719–1726.
15. Jaffke T., Illenbergen E., Lezius M., Matejcik S., Smith D. Mark T.D. "Formatin of C^-₆₀ and C^-₇₀ by Free Electron Capture. Activation Energy and Effect of the Internal Energy on Lifetime." Chem. Phys. Lett. 226 (1994): 213–218.
16. Jain K., Lai S., Klein M.V. "Electronic Raman Scattering and the Metal-Insulator Transition in Doped Silicon." Physical Review B 13.12 (1976): 5448–5464.
17. Kim H., Vogelgesang R., Ramdas A.K., Rodriguez S., Grimsditch M., Anthony T.R. "Electronic Raman and Infrared Spectra of Acceptors in Isotopically Controlled Diamonds." Physical Review B 57.24 (1998): 15316–15327.
18. Popov M., Buga S., Vysikailo Ph., Stepanov P., Tatyanin E., Medvedev V., Denisov V., Kirichenko A., Aksenenkov V., Skok V., Blank V. "C₆₀ – doping of Nanostructured Bi-Sb-Te Thermoelectrics." Phys. Status Solidi A. 208 (2011): 105–113.
19. Popova D.M., Mavrin B.N., Denisov V.N., Skryleva E.A. "Spectroscopic and First-Principles Studies of Boron-Doped Diamond: Raman Polarizability and Local Vibrational Bands." Diamond & Related Materials 18 (2009): 850–853.
20. Turing A.M. "The Chemical Basis of the Morphogenesis." Proc. Roy. Soc. B 273 (1952): 37–71.
21. Vysikailo Ph.I. "Cumulation of de Broglie Waves of Electrons, Endoions and Endoelectrons of Fullerenes, and Resonances in the Properties of Nanocomposite Materials with Spatial Charge Layers." Surface Engineering and Applied Electrochemistry 46.6 (2010): 547–557.
22. Vysikailo Ph.I. "Cumulative Quantum Mechanics (CQM). Part I: Prerequisites and Fundamentals of CQM." Surface Engineering and Applied Electrochemistry 48.4 (2012): 293–305.
23. Vysikailo Ph.I. "Cumulative Quantum Mechanics (CQM). Part II. Application of Cumulative Quantum Mechanics in Describing the Vysikaylo Polarization Quantum_Size Effects." Surface Engineering and Applied Electrochemistry 48.5 (2012): 395–411.
24. Vysikailo Ph.I. "Physical Fundamentals of Hardening of Materials by Space Charge Layers." Surface Engineering and Applied Electrochemistry 46.4 (2010): 291–298.
25. Vysikailo Ph.I. "The Analytic Calculation of Ionization – Drift Waves (3D Strata) of Nanosecond Discharges: The Determination of the Cathode Drop in Nanosecond Discharges According to the Number of Visualized Plasma Structures." Surface Engineering and Applied Electrochemistry 47.2 (2011): 139–144
26. Wright G.B., Mooradian A. "Raman Scattering from Donor and Acceptor Impurities in Silicon." Physical Review Letters 18.15 (1967): 608–610.

Высикайло, Ф. И. Открытие стоячих экситонов большого радиуса и классификация мерцающих кристаллов Часть 2. Применение кумулятивной квантовой механики для описания свойств кристаллических сверхрешёток из стоячих экситонов / Ф.И. Высикайло // Пространство и Время. — 2014. — № 4(18). — С. 55—64. — Стационарный сетевой адрес: 2226-7271provr_st4-18.2014.23.